Infineon открыла завод финальной сборки и тестирования микросхем в Таиланде

1 октября 2026 года Infineon Technologies официально открыла в районе Банг-Бо (провинция Самут-Пракан, недалеко от Бангкока), новый завод сборки и тестирования полупроводников.

Начальные инвестиции превысили €100 млн, а общая стоимость проекта по оценке Совета по инвестициям Таиланда — $1,4 млрд. Первый модуль (A) запущен с ~30 тысячами кв. м чистых помещений и высокоавтоматизированным оборудованием; площадка спроектирована под расширение до 5 производственных модулей и до 150 тысяч кв. м. Сейчас на новом заводе работают около 350 человек, после выхода модуля A на полную мощность штат вырастет примерно до 1000 сотрудников, причём около 80% — инженеры и техники.

Завод охватывает полный цикл backend-процессов: тестирование пластин, сборку, корпусирование и финальное тестирование.

Тайский завод — часть широкой международной экспансии Infineon. В феврале 2026 года компания открыла в Дрездене новую fab стоимостью €5 млрд (субсидия €920 млн от ЕС по European Chips Act) — на момент запуска, это был крупнейший полупроводниковый завод в мире.

В Малайзии (Кулим) с 2023 года реализуется инвестиционная программа до €5 млрд в производство силовых полупроводников на SiC и GaN.

В 2024 году Infineon продала два своих backend-завода — в Кавите (Филиппины) и Чхонане (Южная Корея) — компании ASE, сохранив долгосрочные контракты на услуги.

В Ханое (Вьетнам) с 2023 года работает центр разработки автомобильных микроконтроллеров.

В Индии, где у Infineon около 2800 сотрудников, в октябре 2026 года завершено приобретение C2i Semiconductors (Бенгалур) — для усиления компетенций в управлении питанием ИИ-цодов.

Кроме того, в 2025–2026 годах Infineon закрыла два крупных M&A: купила автомобильное Ethernet-подразделение Marvell за $2,5 млрд и сенсорный бизнес Ams-Osram за €570 млн, а также углубила партнерство со швейцарской ZuriQ по квантовым процессорам.

Для Infineon тайская площадка — это диверсификация глобальной производственной сети и страховка от концентрации backend-мощностей в одной-двух странах. Местоположение обеспечивает логистическую близость к ключевым рынкам (Китай и, в целом, автопром региона), а модульная архитектура производства позволяет наращивать мощности поэтапно, не замораживая капитал. Это стратегическая инвестиция германской компании.

Для Таиланда запуск завода — крупнейший на сегодня успех в амбициозной стратегии страны по созданию собственной полупроводниковой индустрии: правительство ставит цель привлечь $18 млрд инвестиций в отрасль к 2030 году. Премьер-министр Чарнвиракул назвал открытие «сильным сигналом доверия». ~80% сотрудников — инженеры и техники: это не просто сборочная линия, а специализированная производственная база, которая должна стать частью глобальной цепочки добавленной стоимости Infineon.

Сингапурская компания Nexstrom разрабатывает оборудование для выращивания 2D-полупроводников непосредственно на 300-мм пластинах

Nexstrom создает платформу North Star для выращивания дихалькогенидов переходных металлов (transition metal dichalcogenides, TMD), полупроводниковых материалов толщиной в несколько атомных слоев. Такие материалы рассматриваются как возможная замена кремнию в каналах транзисторов при дальнейшем уменьшении их размеров.

Основная задача Nexstrom связана с переносом технологии из лаборатории в серийное производство. Высококачественные TMD уже получают на небольших образцах, однако для применения на фабриках необходимо обеспечить однородное и воспроизводимое выращивание материала по всей площади стандартной 300-мм пластины.

North Star представляет собой MOCVD-платформу, специально разработанную для выращивания TMD. В системе используются:

• контролируемая подача газообразных прекурсоров для поддержания стабильных условий осаждения;
• многоканальная газораспределительная система с независимым температурным контролем для повышения однородности роста по площади пластины;
• автоматизированная загрузка и перемещение 300-мм пластин, рассчитанные на интеграцию в существующую инфраструктуру полупроводниковых фабрик.

Компания уже установила систему, рассчитанную на 300-мм пластины, и получила на ней первые образцы материала. При этом масштабирование самого технологического процесса идет поэтапно: Nexstrom перешла от пластин диаметром 50 мм к 150 мм и планирует завершить отработку процесса на 200-мм пластинах к концу октября 2026 года.

Образцы пластин и материалов уже проходят оценку у потенциальных заказчиков, которых компания не раскрывает. Основная работа сейчас сосредоточена на достижении требуемых заказчиками параметров материала, повышении воспроизводимости процесса, развитии метрологии и систем управления процессом.

Разработкой транзисторов на основе 2D-материалов уже занимаются TSMC, Intel и imec. Nexstrom концентрируется на другом звене технологической цепочки: оборудовании и процессах, которые должны обеспечить массовое выращивание таких материалов на пластинах промышленного диаметра. Выход North Star на уровень серийного производства компания ожидает в 2030–2035 годах.

Samsung начал отгружать чипы HBM4 неназванным клиентам

Впрочем, основной «подозреваемый», это, конечно, Nvidia с ускорителем Vera Rubin, который начнут выпускать в 2H2026. До сих пор Samsung заметно отставала от своего основного конкурента в области передовой памяти, от южнокорейской компании SK Hynix. Но не в этот раз.

Samsung заявляет для своих микросхем такие характеристики, как стабильная скорость доступа в 11,7 Гбит/с, что на 22% больше, чем у HBM3. По данным компании, максимальная скорость у чипов может достигать и 13 Гбит/с. Впрочем, в этом плане лучше подождать независимых оценок.

В планах компании – начать поставки образцов чипов HBM4E, то есть следующего поколения за HBM – в 2H2026. Прогноз роста доходов от HBM в 2026 году — более чем в 3 раза!

SK hynix пока что не добилась того же уровня выхода годных для HBM4, как у HBM3E. И в целом пока что не начала массовых отгрузок.

Qualcomm завершила разработку (tape-out) 2-нм чипа в Индии

Работы проводились в инженерных центрах Qualcomm в Бангалоре, Ченнаи и Хайдарабаде, что указывает на растущую роль индийских команд разработчиков в разработке чипов следующего поколения.

Хотя 2-нм чип не будет производиться внутри страны, это достижение отражает прогресс Индии в освоении сложных этапов проектирования полупроводников в условиях, когда правительство активизирует свои усилия в рамках Индийской полупроводниковой миссии (ISM) 2.0.

Applied Materials представила инструменты для суб‑2‑нм GAA‑чипов и усиливает кооперацию с Кореей

Американская Applied Materials, один из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, анонсировала три новые системы для техпроцессов ангстремного масштаба. Решения нацелены на резкий рост производительности ИИ-чипов и одновременно — на сдерживание взрывного роста энергопотребления оборудованием в этом сегменте.

Представленные продукты, Viba, Sym3G Magnum и Spectral, оптимизированы под Gate-All-Around (GAA).