Новости

Впрочем, основной «подозреваемый», это, конечно, Nvidia с ускорителем Vera Rubin, который начнут выпускать в 2H2026. До сих пор Samsung заметно отставала от своего основного конкурента в области передовой памяти, от южнокорейской компании SK Hynix. Но не в этот раз.

Samsung заявляет для своих микросхем такие характеристики, как стабильная скорость доступа в 11,7 Гбит/с, что на 22% больше, чем у HBM3. По данным компании, максимальная скорость у чипов может достигать и 13 Гбит/с. Впрочем, в этом плане лучше подождать независимых оценок.

В планах компании – начать поставки образцов чипов HBM4E, то есть следующего поколения за HBM – в 2H2026. Прогноз роста доходов от HBM в 2026 году — более чем в 3 раза!

SK hynix пока что не добилась того же уровня выхода годных для HBM4, как у HBM3E. И в целом пока что не начала массовых отгрузок.

Работы проводились в инженерных центрах Qualcomm в Бангалоре, Ченнаи и Хайдарабаде, что указывает на растущую роль индийских команд разработчиков в разработке чипов следующего поколения.

Хотя 2-нм чип не будет производиться внутри страны, это достижение отражает прогресс Индии в освоении сложных этапов проектирования полупроводников в условиях, когда правительство активизирует свои усилия в рамках Индийской полупроводниковой миссии (ISM) 2.0.

Американская Applied Materials, один из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, анонсировала три новые системы для техпроцессов ангстремного масштаба. Решения нацелены на резкий рост производительности ИИ-чипов и одновременно — на сдерживание взрывного роста энергопотребления оборудованием в этом сегменте.

Представленные продукты, Viba, Sym3G Magnum и Spectral, оптимизированы под Gate-All-Around (GAA).