Впрочем, основной «подозреваемый», это, конечно, Nvidia с ускорителем Vera Rubin, который начнут выпускать в 2H2026. До сих пор Samsung заметно отставала от своего основного конкурента в области передовой памяти, от южнокорейской компании SK Hynix. Но не в этот раз.
Samsung заявляет для своих микросхем такие характеристики, как стабильная скорость доступа в 11,7 Гбит/с, что на 22% больше, чем у HBM3. По данным компании, максимальная скорость у чипов может достигать и 13 Гбит/с. Впрочем, в этом плане лучше подождать независимых оценок.
В планах компании – начать поставки образцов чипов HBM4E, то есть следующего поколения за HBM – в 2H2026. Прогноз роста доходов от HBM в 2026 году — более чем в 3 раза!
SK hynix пока что не добилась того же уровня выхода годных для HBM4, как у HBM3E. И в целом пока что не начала массовых отгрузок.